公司现有两类层间电介质（ILD）化学机械抛光液，包括基于氧化硅纳米颗粒的抛光液和氧化铈纳米颗粒的抛光液：氧化硅纳米颗粒的ILD抛光液具有高去除速率、高平坦化效率、低缺陷的优点；氧化铈纳米颗粒的ILD抛光液具有高去除速率、高平坦化效率、低缺陷、低成本的优点。

基于氧化铈纳米颗粒的浅槽隔离（STI）化学机械抛光液用于集成电路制造工艺中浅槽隔离的抛光，具有高选择比、选择比可调、高平坦化效率、低缺陷率和低成本等优点。

金属钨抛光液用于集成电路制造工艺中钨塞和钨通孔的平坦化。公司现有两种基于氧化硅磨料的钨化学机械抛光液，包括高选择比的钨本体抛光液和高稀释比的钨本体抛光液；具有可调的钨去除速率。产品可应用于逻辑芯片和存储芯片中钨的平坦化。同时，更多类型的钨CMP抛光液产品正在持续研发中。

硅晶圆衬底类化学机械抛光液主要用于硅片衬底的平坦化。公司现有三大系列（粗抛、边抛、精抛）硅片CMP抛光液，包括循环时间长、高纯度的硅片粗抛抛光液；高抛光速率、低粗糙度的硅片边抛抛光液和高平整度、低缺陷的硅片精抛抛光液。产品可用于逻辑芯片和存储芯片中硅衬底的平坦化，以及多晶硅、再生硅和其他硅应用的表面平坦化。

碳化硅化学机械抛光液可用于各种碳化硅衬底的平坦化。公司现有多款不同类别的碳化硅抛光液，适用于不同尺寸下4H及6H构型碳化硅晶圆的粗抛与精抛，具有高去除率、高平坦化速率、可浓缩和低腐蚀性或无腐蚀性的产品特性。

本产品专为钽酸锂和铌酸锂晶圆的全局平坦化工艺设计，适用于压电晶体材料的高精度表面加工需求。公司提供适配多种钽酸锂晶圆及铌酸锂晶圆的CMP抛光液，覆盖粗抛至精抛全流程，具备高去除效率、超低表面损伤、工艺灵活性强等核心优势。

公司现有氧化铝体系和硅溶胶体系的超精密加工类化学机械抛光液，可用于不锈钢、铝合金、钛合金、陶瓷等材料的抛光，产品线分为平抛和3D抛，产品具有去除率高、抛光后粗糙度低于10nm、光泽度高、易于清洗等优点。